S29AS008J70BHI030备选型号: SST39VF010-70-4I-NHE

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 内存大小
  • 操作模式
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 记忆密度
  • 访问时间(最大)
  • 编程电压
  • 备用内存宽度
  • 电压 - 供电 (最大值)
  • 电压 - 供电 (最小值)
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • Current - Supply (Nom)
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 最大电流源
  • 访问时间
  • 数据总线宽度
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • 同步/异步
  • 字长
  • 数据轮询
  • 拨动位
  • 命令用户界面
  • 扇区/尺寸数
  • 行业规模
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Cypress Semiconductor Corp
    IC FLASH 8M PARALLEL 48FBGA
    表面贴装
    48-VFBGA
    YES
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    AS-J
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    48
    8542.32.00.51
    1.8V
    BOTTOM
    未说明
    1
    0.8mm
    未说明
    R-PBGA-B48
    8Mb 1M x 8 512K x 16
    ASYNCHRONOUS
    FLASH
    Parallel
    512KX16
    16
    70ns
    8388608 bit
    70 ns
    1.8V
    8
    1.95V
    1.65V
    8.15mm
    1mm
    6.15mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    MICROCHIP - SST39VF010-70-4I-NHE - MEMORY, FLASH, 1MBIT, PARL, 32PLCC
    表面贴装
    32-LCC (J-Lead)
    YES
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tube
    SST39 MPF™
    活跃
    3 (168 Hours)
    32
    -
    3.3V
    QUAD
    245
    1
    1.27mm
    40
    -
    1Mb 128K x 8
    -
    FLASH
    Parallel
    128KX8
    -
    20μs
    -
    -
    2.7V
    -
    3.6V
    2.7V
    11.51mm
    -
    14.05mm
    ROHS3 Compliant
    7 Weeks
    Tin
    32
    20mA
    2000
    e3
    yes
    3A991.B.1.A
    SST39VF010
    20mA
    70ns
    8b
    17b
    1 Mb
    0.000015A
    Asynchronous
    8b
    YES
    YES
    YES
    32
    4K
    2.84mm
    无SVHC
    无铅
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