S29AS008J70BHI030备选型号: SST39VF010-70-4I-NHE
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- 描述:
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 内存大小
- 操作模式
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 记忆密度
- 访问时间(最大)
- 编程电压
- 备用内存宽度
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 引脚数
- Current - Supply (Nom)
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 最大电流源
- 访问时间
- 数据总线宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 同步/异步
- 字长
- 数据轮询
- 拨动位
- 命令用户界面
- 扇区/尺寸数
- 行业规模
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- IC FLASH 8M PARALLEL 48FBGA表面贴装48-VFBGAYESNon-Volatile-40°C~85°C TATrayAS-JObsolete3 (168 Hours)488542.32.00.511.8VBOTTOM未说明10.8mm未说明R-PBGA-B488Mb 1M x 8 512K x 16ASYNCHRONOUSFLASHParallel512KX161670ns8388608 bit70 ns1.8V81.95V1.65V8.15mm1mm6.15mmROHS3 Compliant--------------------------
- MICROCHIP - SST39VF010-70-4I-NHE - MEMORY, FLASH, 1MBIT, PARL, 32PLCC表面贴装32-LCC (J-Lead)YESNon-Volatile-40°C~85°C TATubeSST39 MPF™活跃3 (168 Hours)32-3.3VQUAD24511.27mm40-1Mb 128K x 8-FLASHParallel128KX8-20μs--2.7V-3.6V2.7V11.51mm-14.05mmROHS3 Compliant7 WeeksTin3220mA2000e3yes3A991.B.1.ASST39VF01020mA70ns8b17b1 Mb0.000015AAsynchronous8bYESYESYES324K2.84mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST39VF010-70-4I-NHE | Microchip Technology | 存储器 | 32-LCC (J-Lead) | MICROCHIP - SST39VF010-70-4I-NHE - MEMORY, FLASH, 1MBIT, PARL, 32PLCC | 对比 |
![]() | SST39SF010A-70-4C-PHE | Microchip Technology | 存储器 | 32-DIP (0.600, 15.24mm) | MICROCHIP - SST39SF010A-70-4C-PHE - Flash Memory, 1MBIT, 70ns, DIP-32 | 对比 |




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