S29GL128P11TFIV10备选型号: MT29F1G08ABADAWP-IT:D
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- 工厂交货时间
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- 包装/外壳
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 电源
- 内存大小
- 内存格式
- 内存接口
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 密度
- 待机电流-最大值
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- 同步/异步
- 编程电压
- 备用内存宽度
- 数据轮询
- 拨动位
- 电压 - 供电 (最大值)
- 电压 - 供电 (最小值)
- 命令用户界面
- 扇区/尺寸数
- 行业规模
- 页面尺寸
- 准备就绪/忙碌
- 通用闪存接口
- 座位高度(最大)
- 长度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 基本部件号
- 地址总线宽度
- 字长
- 环境温度范围高
- 高度
- IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP12 Weeks表面贴装表面贴装56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)56Non-Volatile110mA-40°C~85°C TATray2012GL-Pe3活跃3 (168 Hours)563A991.B.1.AMatte Tin (Sn)8542.32.00.511.65V~3.6VDUAL26010.5mm401.8/3.33/3.3V128Mb 16M x 8FLASHParallel8b128MX11110ns128 Mb0.000005A110 nsAsynchronous3V8YESYES3.6V2.7VYES128128K8/16wordsYESYES1.2mm18.4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
- IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I3 Weeks表面贴装表面贴装48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)48Non-Volatile35mA-40°C~85°C TABulk2010--Obsolete3 (168 Hours)----3.3V------1Gb 128M x 8FLASHParallel----1 Gb--Asynchronous---------2kB-----无ROHS3 Compliant-TinMT29F1G0828b8b85°C1.2mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT29F2G08ABAEAWP-IT:E | Micron Technology Inc. | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2Gbit 256M x 8bit 48-Pin TSOP-I Tray | 对比 |
![]() | MT29F1G08ABADAWP-IT:D | Micron Technology Inc. | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I | 对比 |
![]() | MT29F1G08ABADAWP:D | Micron Technology Inc. | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1G-bit 128M x 8 48-Pin TSOP-I Tray | 对比 |



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