S34ML04G100BHI000备选型号: PZ28F064M29EWHA
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- 工厂交货时间
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- 包装
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- JESD-609代码
- 零件状态
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- 终止次数
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
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- 电源电压
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- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
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- 内存大小
- 电源电流
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- 内存格式
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- 数据总线宽度
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- 行业规模
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- 准备就绪/忙碌
- 环境温度范围高
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 表面安装
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 电源
- 电压
- 电源电流-最大值
- 内存宽度
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 访问时间(最大)
- 备用内存宽度
- 通用闪存接口
- 座位高度(最大)
- IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA14 Weeks表面贴装表面贴装63-VFBGA63Non-Volatile-40°C~85°C TATrayML-12014e1Discontinued3 (168 Hours)63Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)8542.32.00.512.7V~3.6VBOTTOM13.3V0.8mm3.3V3.6V2.7V4Gb 512M x 830mA25 nsFLASHParallel8b512MX830b4 Gb0.00005AAsynchronous8b3VNONOYES4K128K2kBYES85°C1mm11mm9mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----------------
- NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 8M/4M x 8bit/16bit 60ns 48-Pin BGA Tray8 Weeks-表面贴装48-VFBGA48Non-Volatile-40°C~85°C TATray-2012e1Obsolete3 (168 Hours)48锡银铜8542.32.00.512.7V~3.6VBOTTOM13V0.8mm---64Mb 8M x 8 4M x 16--FLASHParallel-4MX16-64 Mb0.00012A---YESYESYES12864K8/16wordsYES--8mm6mm-无ROHS3 Compliant-Copper, Silver, TinYESyes3A991.B.1.A26030PZ28F0643/3.3V2.7V0.025mA1660ns65 ns8YES1mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PZ28F064M29EWHA | Micron Technology Inc. | 存储器 | 48-VFBGA | NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 8M/4M x 8bit/16bit 60ns 48-Pin BGA Tray | 对比 |
![]() | SST39VF801C-70-4I-MAQE | Microchip Technology | 存储器 | 48-WFBGA | Flash Memory 2.7 to 3.6V 8Mbit Multi-Purpose Flash | 对比 |




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