S6E1B36G0AGV20000备选型号: MK30DN512VLQ10
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- 内存大小
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- 核心处理器
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- 程序存储器类型
- 芯尺寸
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- 连接方式
- 核心架构
- RoHS状态
- 表面安装
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 资历状况
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
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- 速度
- 时钟频率
- 位元大小
- 有ADC
- DMA 通道
- 脉宽调制通道
- 数模转换器通道
- 处理器系列
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- IC MCU 32BIT 560KB FLASH 120LQFP21 Weeks表面贴装120-LQFPA/D 24x12b-40°C~105°C TATrayFM0+ S6E1B32015Obsolete3 (168 Hours)8542.31.00.0140MHzI2C, LIN, UART, USART, USB560kBInternal1.65V~3.6VMICROCONTROLLER, RISCARM® Cortex®-M0+I2S, LVD, POR, PWM, WDTFLASH32-Bit560KB 560K x 8CSIO, I2C, LINbus, SmartCard, UART/USART, USBARMROHS3 Compliant----------------------------
- ARM Microcontrollers - MCU KINETIS 512K13 Weeks表面贴装144-LQFPA/D 46x16b; D/A 2x12b-40°C~105°C TATrayKinetis K302012活跃3 (168 Hours)8542.31.00.01--128K x 8Internal1.71V~3.6VMICROCONTROLLER, RISCARM® Cortex®-M4DMA, I2S, LCD, LVD, POR, PWM, WDTFLASH32-Bit512KB 512K x 8CANbus, EBI/EMI, I2C, IrDA, SD, SPI, UART/USART-ROHS3 CompliantYESe31443A991.A.2Matte Tin (Sn)QUAD鸥翼2603.3V0.5mm40MK30DN512S-PQFP-G144不合格3.6V1.8/3.3V1.71V100MHz32MHz32YESYESYESYESCORTEX-M420mm1.6mm20mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MK30DN512VLQ10 | NXP USA Inc. | 嵌入式 - 微控制器 | 144-LQFP | ARM Microcontrollers - MCU KINETIS 512K | 对比 |
![]() | MK30DN512ZVLQ10 | NXP USA Inc. | 嵌入式 - 微控制器 | 144-LQFP | ARM® Cortex®-M4 Kinetis K30 Microcontroller IC 32-Bit 100MHz 512KB (512K x 8) FLASH 144-LQFP (20x20) | 对比 |
![]() | S6E1B36F0AGV20000 | Cypress Semiconductor Corp | 嵌入式 - 微控制器 | 100-LQFP | IC MCU 32BIT 560KB FLASH 100LQFP | 对比 |




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