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首页 全部分类 SBAS20LT1G vs SBAS21LT3G

SBAS20LT1G备选型号: SBAS21LT3G

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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
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  • 端子位置
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  • 元素配置
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  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 功率耗散
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
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  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 输出电流-最大值
  • 无卤素
  • 平均整流电流（Io）
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 反向恢复时间
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 电容@Vr, F
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    SBAS20LT1G
    ON Semiconductor
    Diodes - General Purpose, Power, Switching SS SWCH DIO 200V TR
    ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    8541.10.00.70
    385mW
    DUAL
    鸥翼
    BAS20
    3
    AEC-Q101
    Single
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Standard
    100nA @ 150V
    385mW
    1.25V @ 200mA
    200mA
    100μA
    -55°C~150°C
    625mA
    0.2A
    无卤素
    200mA DC
    1.25V
    200V
    200mA
    50 ns
    200V
    5pF @ 0V 1MHz
    50 ns
    1.01mm
    3.04mm
    1.4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    SBAS21LT3G
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    8541.10.00.70
    225mW
    -
    鸥翼
    BAS21
    3
    AEC-Q101
    Dual
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Standard
    100nA @ 200V
    385mW
    1.25V @ 200mA
    200mA
    100μA
    -55°C~150°C
    625mA
    0.2A
    无卤素
    200mA DC
    1.25V
    250V
    200mA
    50 ns
    250V
    5pF @ 0V 1MHz
    50 ns
    1.01mm
    3.04mm
    1.4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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