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首页 全部分类 SBR10B45P5-13 vs NRVB8H100MFSWFT1G

SBR10B45P5-13备选型号: NRVB8H100MFSWFT1G

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 应用
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 工作温度 - 结点
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 最大非代表Pk前进电流
  • 反向电流-最大值
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 元素配置
  • 输出电流-最大值
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • Diodes Incorporated
    SBR10B45P5-13
    Diodes Incorporated
    DIODE SBR 45V 10A POWERDI5
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    PowerDI™ 5
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    SBR®
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    GENERAL PURPOSE
    自由旋转二极管
    8541.10.00.80
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F3
    SINGLE
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    超屏蔽
    380μA @ 45V
    550mV @ 10A
    CATHODE
    -55°C~150°C
    45V
    45V
    10A
    1
    140A
    380μA
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NRVB8H100MFSWFT1G
    ON Semiconductor
    Diode Schottky Barrier Rectifier 100V 8A 8-Pin SO-FL T/R
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN, 5 Leads
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101
    2015
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    EFFICIENCY
    低功率损耗
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    not_compliant
    -
    R-PDSO-F5
    -
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Schottky
    2μA @ 100V
    900mV @ 8A
    -
    -55°C~175°C
    -
    100V
    8A
    1
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    8
    175°C
    -55°C
    共阴极
    8A
    2μA
    100V
    75A
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NRVB8H100MFSWFT1G NRVB8H100MFSWFT1G ON Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 8-PowerTDFN, 5 Leads Diode Schottky Barrier Rectifier 100V 8A 8-Pin SO-FL T/R 对比