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首页 全部分类 SBR40U200CTB vs SBR40U300CTB

SBR40U200CTB备选型号: SBR40U300CTB

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  • 终端形式
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  • 引脚数量
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  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 正向电压
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  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 二极管配置
  • 反向电压(直流电)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • Diodes Incorporated
    SBR40U200CTB
    Diodes Incorporated
    DIODE ARRAY SBR 200V 20A D2PAK
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    2.000002g
    SILICON
    2
    Tube
    SBR®
    2011
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    175°C
    -65°C
    快速软恢复
    8541.10.00.80
    SINGLE
    鸥翼
    260
    40
    3
    R-PSSO-G2
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    超屏蔽
    200μA @ 200V
    930mV @ 20A
    40A
    -65°C~175°C
    930mV
    200V
    20A
    1
    50 ns
    200μA
    200V
    240A
    1 Pair Common Cathode
    200V
    4.82mm
    10.66mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • Diodes Incorporated
    SBR40U300CTB
    Diodes Incorporated
    DIODE ARRAY SBR 300V 20A D2PAK
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    2.000002g
    SILICON
    2
    Tube
    SBR®
    2017
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    175°C
    -65°C
    超快速柔软恢复
    8541.10.00.80
    SINGLE
    鸥翼
    260
    40
    3
    R-PSSO-G2
    共阴极
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    超屏蔽
    100μA @ 300V
    920mV @ 20A
    40A
    -65°C~175°C
    920mV
    300V
    20A
    1
    50 ns
    100μA
    300V
    200A
    1 Pair Common Cathode
    -
    4.82mm
    10.66mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    200A
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