SC02201518备选型号: 06033J220GBSTR
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- 电压
- 自谐振频率
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- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- CAP SILICON 22PF 20% SMD10 Weeks表面贴装非标准芯片一个表面二氧化硅和氮化物-65°C~200°CBulkSC20090.018Lx0.018W 0.46mmx0.46mm±20%yes活跃1 (Unlimited)2EAR9950ppm/Cel ppm/°C高温8532.25.00.5522pF楔形包457μmunknown薄膜电容器0202100V高可靠性0.006 0.15mm18mm18mmROHS3 Compliant----------------
- CAP THIN FILM 22PF 25V 060316 Weeks表面贴装0603 (1608 Metric)WRAPAROUND--55°C~125°CTape & Reel (TR)Accu-P®20090.063Lx0.032W 1.60mmx0.81mm±2%yes活跃1 (Unlimited)2EAR9930 ppm/°C--22pFTR, 7/13 INCH810μm-薄膜电容器--RF, High Q, Low Loss630μm1.6mm0.81mmROHS3 Compliant表面贴装2e3SMD/SMTTin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier25V25V16080603C0G25V1.2GHz0.029 0.73mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 0402ZK220GBWTR | NA | 薄膜电容器 | 0402 (1005 Metric) | CAP THIN FILM 22PF 10V 0402 | 对比 |
![]() | 06033J220JBTTR | NA | 薄膜电容器 | 0603 (1608 Metric) | CAP THIN FILM 22PF 25V 0603 | 对比 |





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