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SCT2H12NZGC11备选型号: STFW3N170
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- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- 系列
- ECCN 代码
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 1700V 3.7A30 Weeks通孔通孔TO-3PFM, SC-93-333.7A Tc175°C TJTube2014活跃1 (Unlimited)3SINGLE未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET35WISOLATED16 nsN-ChannelSWITCHING1.5 Ω @ 1.1A, 18V4V @ 900μA184pF @ 800V14nC @ 18V1700V+22V, -6V3.7A2.8V22V1.7kV9.2A175°C26.5mmUnknownROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-CH 1700V 2.6A8 Weeks通孔通孔ISOWATT218FX-2.6A Tc-55°C~150°C TJTube-活跃1 (Unlimited)3SINGLE---SINGLE WITH BUILT-IN DIODE-增强型MOSFET-ISOLATED-N-ChannelSWITCHING13 Ω @ 1.3A, 10V5V @ 250μA1100pF @ 100V44nC @ 10V1700V±30V2.6A---10.4A---ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)SILICONPowerMESH™EAR99STFWR-PSFM-T32.3A1700V2 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STP4N150 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220 | 对比 |
 | STW4N150 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 1500V 4A TO-247 | 对比 |
 | 2SK3747 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-3P-3 Full Pack | MOSFET HIGH-VOLTAGE POWER MOSFET | 对比 |
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