STMicroelectronics STFW3N170
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STFW3N170
2381-STFW3N170
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
ISOWATT218FX
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MOSFET N-CH 1700V 2.6A
--最小包装量--
STFW3N170详情
STMicroelectronics STFW3N170重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
ISOWATT218FX
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
63W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
PowerMESH™
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
基本部件号
STFW
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
13 Ω @ 1.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1100pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
44nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
1700V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
2.6A
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.3A
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
10.4A
DS 击穿电压-最小值
1700V
雪崩能量等级(Eas)
2 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
STFW3N170拓展信息
STMicroelectronics
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