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首页 全部分类 SD1726 vs MS1227

SD1726备选型号: MS1227

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 增益
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 最高频段
  • 集电极-基极电容-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 输出功率
  • 最高频率
  • 频率转换
  • STMicroelectronics
    SD1726
    STMicroelectronics
    RF Bipolar Transistors NPN 50V 30MHz
    Screw, Surface Mount
    表面贴装
    M174
    174
    SILICON
    55V
    200°C TJ
    Tray
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    55V
    318W
    RADIAL
    FLAT
    20A
    SD1726
    4
    O-PRFM-F4
    SINGLE
    318W
    AMPLIFIER
    NPN
    NPN
    55V
    20A
    18 @ 1.4A 6V
    14dB
    110V
    4V
    20A
    高频b
    220pF
    7.11mm
    24.89mm
    12.83mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    MS1227
    Microsemi Corporation
    Trans GP BJT NPN 18V 4.5A 4-Pin Style M113
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    M113
    4
    SILICON
    18V
    200°C TJ
    Bulk
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    -
    80W
    RADIAL
    FLAT
    -
    -
    4
    -
    SINGLE
    -
    -
    NPN
    NPN
    18V
    4.5A
    200 @ 1A 5V
    15dB
    36V
    -
    -
    高频b
    135pF
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
    e0
    no
    锡铅
    带发射极镇流电阻
    20W
    30MHz
    30MHz
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
MS1227 MS1227 Microsemi Corporation 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 M113 Trans GP BJT NPN 18V 4.5A 4-Pin Style M113 对比