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首页 全部分类 SFT1423-TL-E vs IPD60R2K1CEBTMA1

SFT1423-TL-E备选型号: IPD60R2K1CEBTMA1

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  • 包装/外壳
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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • ON Semiconductor
    SFT1423-TL-E
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 2A TP-FA
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    3
    2A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e6
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    3
    Single
    1W
    7.4 ns
    N-Channel
    4.9 Ω @ 1A, 10V
    175pF @ 30V
    8.7nC @ 10V
    8.8ns
    500V
    ±20V
    27 ns
    2A
    20V
    2A
    2.3mm
    6.5mm
    5.5mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R2K1CEBTMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 600V 2.3A DPAK-2
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3
    2.3A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    -
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    EAR99
    -
    -
    Single
    -
    7 ns
    N-Channel
    2.1 Ω @ 760mA, 10V
    140pF @ 100V
    6.7nC @ 10V
    7ns
    -
    ±20V
    50 ns
    2.3A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    表面贴装
    3.949996g
    SILICON
    CoolMOS™ CE
    2
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    3.5V @ 60μA
    600V
    6A
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