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首页 全部分类 SGH30N60RUFTU vs IRGP4062DPBF

SGH30N60RUFTU备选型号: IRGP4062DPBF

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  • 晶体管应用
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  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    SGH30N60RUFTU
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 48A 235W TO3P
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    600V
    2.2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    600V
    235W
    30A
    Single
    235W
    Standard
    600V
    48A
    2.8V @ 15V, 30A
    85nC
    90A
    30ns/54ns
    919μJ (on), 814μJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRGP4062DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 48A 250W TO247AC
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    1
    1.65V
    -55°C~175°C TJ
    Bulk
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    250W
    -
    Single
    250W
    Standard
    1.95V
    48A
    1.95V @ 15V, 24A
    50nC
    72A
    41ns/104ns
    115μJ (on), 600μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    26 Weeks
    38.000013g
    SILICON
    2006
    3
    EAR99
    COLLECTOR
    41 ns
    电源控制
    22ns
    N-CHANNEL
    89 ns
    TO-247AC
    64 ns
    164 ns
    Trench
    20V
    6.5V
    5.3mm
    15.875mm
    20.3mm
    无SVHC
    无
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