STMicroelectronics STGP20V60F
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STGP20V60F
2381-STGP20V60F
晶体管 - IGBT - 单个
TO-220-3
大陆
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IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
--最小包装量--
STGP20V60F详情
STMicroelectronics STGP20V60F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2V
Test Conditions
400V, 20A, 15V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
167W
基本部件号
STGP20
元素配置
Single
功率耗散
167W
输入类型
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
40A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.2V @ 15V, 20A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
116nC
集极脉冲电流(Icm)
80A
Td(开/关)@25°C
38ns/149ns
开关能量
200μJ (on), 130μJ (off)
高度
15.75mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STGP20V60F拓展信息
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