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SGP15N60RUFTU备选型号: STGF35HF60W
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- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 包装
- 零件状态
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- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 接通延迟时间
- 极性/通道类型
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
IGBT 600V 24A 160W TO220通孔通孔TO-220-3TO-220-3600V2.5V-55°C~150°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)150°C-55°C600V160W15ASingle160WStandard160W600V24A600V2.8V @ 15V, 15A42nC45A17ns/44ns320μJ (on), 356μJ (off)符合RoHS标准无铅--------
IGBT Transistors 35A 600V Ultrafast IGBT over 100kHz OP通孔通孔TO-220-3 Full Pack-600V2.5V-55°C~150°C TJTubeObsolete1 (Unlimited)---40W-Single-Standard40W600V19A-2.5V @ 15V, 20A140nC150A30ns/175ns290μJ (on), 185μJ (off)ROHS3 Compliant无铅2.299997gEAR99STGF3530 nsN-CHANNEL20V5.75V无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGP10N60UNDF | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT Transistors 600V 10A NPT IGBT | 对比 |
| STGF35HF60W | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 Full Pack | IGBT Transistors 35A 600V Ultrafast IGBT over 100kHz OP | 对比 |
 | NGTB15N60R2FG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 Full Pack | ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins | 对比 |
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