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首页 全部分类 SGP5N60RUFDTU vs IRG4IBC10UDPBF

SGP5N60RUFDTU备选型号: IRG4IBC10UDPBF

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  • 极性/通道类型
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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    SGP5N60RUFDTU
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 8A 60W TO220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    TO-220-3
    600V
    2.2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2002
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    600V
    60W
    5A
    Single
    60W
    Standard
    60W
    600V
    8A
    37 ns
    600V
    2.8V @ 15V, 5A
    16nC
    15A
    13ns/34ns
    88μJ (on), 107μJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4IBC10UDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    -
    600V
    2.15V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    1999
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    -
    -
    600V
    25W
    6.8A
    Single
    25W
    Standard
    -
    2.6V
    6.8A
    28 ns
    -
    2.6V @ 15V, 5A
    15nC
    27A
    40ns/87ns
    140μJ (on), 120μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    16 Weeks
    3
    SILICON
    3
    通孔
    EAR99
    超快
    ISOLATED
    电源控制
    16ns
    N-CHANNEL
    TO-220AB
    56 ns
    345 ns
    20V
    6V
    210ns
    16.129mm
    10.7442mm
    4.826mm
    无SVHC
    无
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