SI4410DY备选型号: FDS8880
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- 最高工作温度
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- 电压 - 额定直流
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88-SOIC10A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®1999Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°C30V10A2.5WN-Channel13.5mOhm @ 10A, 10V1V @ 250μA1350pF @ 15V60nC @ 10V20ns30V±20V80 ns10A20V30V1.35nF13.5mOhm13.5 mΩ符合RoHS标准无铅--------------------------
- MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-11.6A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2001活跃1 (Unlimited)--30V11.6A2.5WN-Channel10m Ω @ 11.6A, 10V2.5V @ 250μA1235pF @ 15V30nC @ 10V27ns-±20V15 ns11.6A20V30V---ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)18 WeeksTin130mgSILICONe4yes8SMD/SMTEAR9910MOhmNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)DUAL鸥翼Single增强型MOSFET7 nsSWITCHING2.5V30V2.5 V1.5mm5mm4mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS8880 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC | 对比 | |
| FDS6680A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC | 对比 | |
![]() | IRF9328TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC | 对比 |



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