SI4420DYTRPBF备选型号: IRF9321TRPBF
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 栅源电压
- 长度
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 配置
- 通道数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大结点温度(Tj)
- MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON1-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2004不用于新设计1 (Unlimited)8EAR999mOhm30VDUAL鸥翼12.5ASingle增强型MOSFET2.5W15 nsN-ChannelSWITCHING9m Ω @ 12.5A, 10V1V @ 250μA2240pF @ 15V78nC @ 10V10ns±20V47 ns12.5A1V20V30V50A400 mJ1 V4.9784mm1.4986mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free------
- MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON15A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2008活跃1 (Unlimited)8EAR997.2MOhm-DUAL鸥翼--增强型MOSFET2.5W21 nsP-ChannelSWITCHING7.2m Ω @ 15A, 10V2.4V @ 50μA2590pF @ 25V98nC @ 10V79ns±20V145 ns-15A-1.8V20V-30V---1.8 V4.9784mm1.75mm3.9878mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅e3Matte Tin (Sn)SINGLE WITH BUILT-IN DIODE130V150°C
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | 对比 |
| NVMFS4841NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET Single N-Channel 30V,89A,7mOhm | 对比 | |
![]() | IRF7805ZTRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC | 对比 |



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