Infineon Technologies SI4420DYTRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

55 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

12.5A Ta

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

9mOhm

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

12.5A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9m Ω @ 12.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2240pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

78nC @ 10V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

47 ns

连续放电电流(ID)

12.5A

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

50A

雪崩能量等级（Eas）

400 mJ

栅源电压

1 V

长度

4.9784mm

高度

1.4986mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free