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首页 全部分类 SI4435DY vs FDS8878

SI4435DY备选型号: FDS8878

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • ON Semiconductor
    SI4435DY
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    8.8A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    20MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -8.8A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    16 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 8.8A, 10V
    3V @ 250μA
    1604pF @ 15V
    24nC @ 5V
    13.5ns
    30V
    ±20V
    25 ns
    -8.8A
    -1.7V
    20V
    -30V
    -30V
    -1.7 V
    1.57mm
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS8878
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    10.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    EAR99
    14MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    30V
    DUAL
    鸥翼
    10.2A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    14m Ω @ 10.2A, 10V
    2.5V @ 250μA
    897pF @ 15V
    26nC @ 10V
    29ns
    -
    ±20V
    18 ns
    10.2A
    2.5V
    20V
    30V
    -
    2.5 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    57 mJ
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