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首页 全部分类 SI4435DY vs IRF7416TRPBF

SI4435DY备选型号: IRF7416TRPBF

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  • 阈值电压
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  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
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  • 宽度
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  • 行间距
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • ON Semiconductor
    SI4435DY
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC N T/R
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    130mg
    SILICON
    8.8A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    20MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -8.8A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    16 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 8.8A, 10V
    3V @ 250μA
    1604pF @ 15V
    24nC @ 5V
    13.5ns
    30V
    ±20V
    25 ns
    -8.8A
    -1.7V
    20V
    -30V
    -30V
    -1.7 V
    1.57mm
    4.9mm
    3.9mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7416TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    10A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    SMD/SMT
    EAR99
    20mOhm
    -
    -30V
    DUAL
    鸥翼
    -10A
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    18 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    20m Ω @ 5.6A, 10V
    1V @ 250μA
    1700pF @ 25V
    92nC @ 10V
    49ns
    30V
    ±20V
    60 ns
    -10A
    -2.04V
    20V
    -30V
    -30V
    -20 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    超低电阻
    6.3 mm
    1
    45A
    370 mJ
    85 ns
    150°C
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