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首页 全部分类 SI4532DY vs IRF7303TRPBF

SI4532DY备选型号: IRF7303TRPBF

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  • 终端形式
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  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 恢复时间
  • ON Semiconductor
    SI4532DY
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC N T/R
    ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    230.4mg
    SILICON
    3.9A 3.5A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    65MOhm
    Tin (Sn)
    30V
    2W
    DUAL
    鸥翼
    3.9A
    SI4532D
    增强型MOSFET
    2W
    18 ns
    900mW
    N and P-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 3.9A, 10V
    3V @ 250μA
    235pF @ 10V
    15nC @ 10V
    8ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    6 ns
    3.9A
    3V
    20V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    3 V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7303TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    50mOhm
    Matte Tin (Sn)
    30V
    2W
    -
    鸥翼
    4.9A
    IRF7303PBF
    增强型MOSFET
    2W
    6.8 ns
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    50m Ω @ 2.4A, 10V
    1V @ 250μA
    520pF @ 25V
    25nC @ 10V
    21ns
    -
    7.7 ns
    4.9A
    1V
    20V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    1 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    HEXFET®
    超低电阻
    260
    30
    Dual
    71 ns
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