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SI4532DY备选型号: SI9936DY
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- 终端形式
- 额定电流
- 基本部件号
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- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 极性/通道类型
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- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 元素配置
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Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC N T/RACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)8 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8230.4mgSILICON3.9A 3.5A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2017e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR9965MOhmTin (Sn)30V2WDUAL鸥翼3.9ASI4532D增强型MOSFET2W18 ns900mWN and P-ChannelSWITCHING65m Ω @ 3.9A, 10V3V @ 250μA235pF @ 10V15nC @ 10V8nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL6 ns3.9A3V20V30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard3 V1.5mm5mm4mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--- MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC--表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8230.4mg-2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)---Obsolete1 (Unlimited)--50MOhm--900mW-----2W--2 N-Channel (Dual)-50m Ω @ 5A, 10V1V @ 250μA525pF @ 15V35nC @ 10V10ns-10 ns5A-20V30V-Standard------符合RoHS标准无铅Dual30V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDFS6N754 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 30V 4A 56OHM NCH POWER TRENCH | 对比 |
| SI9936DY | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC | 对比 |
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