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首页 全部分类 SI8231BD-D-ISR vs AUIRS2112STR

SI8231BD-D-ISR备选型号: AUIRS2112STR

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  • 接口IC类型
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  • RoHS状态
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  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 电源
  • 温度等级
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 驱动器数量
  • 内置保护器
  • 输出电流流向
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Silicon Labs
    SI8231BD-D-ISR
    Silicon Labs
    MOSFET DRVR 0.5A 2-OUT High and Low Side Non-Inv 16-Pin SOIC W T/R
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    16
    -40°C~125°C
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q100
    1997
    活跃
    2A (4 Weeks)
    16
    EAR99
    1.2W
    DUAL
    鸥翼
    不合格
    CQC, CSA, UR, VDE
    5000Vrms
    500mA
    2
    60 ns
    20ns 20ns Max
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    60ns, 60ns
    20kV/μs
    5.6 ns
    9.4V~24V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRS2112STR
    Infineon Technologies
    -
    表面贴装
    -
    SOIC
    16
    -
    -
    -
    -
    -
    1 (Unlimited)
    16
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    600mA
    -
    230 ns
    -
    基于半桥的外设驱动器
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    1.25W
    e3
    Tin (Sn)
    125°C
    -40°C
    260
    1
    15V
    30
    15V
    AUTOMOTIVE
    20V
    10V
    1.25W
    290mA
    50 ns
    140ns
    60 ns
    2
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    水槽
    2.3622mm
    10.4902mm
    7.5946mm
    无
    无铅
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