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首页 全部分类 SI8261BBC-C-IP vs IXDD609PI

SI8261BBC-C-IP备选型号: IXDD609PI

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  • 脉宽失真(最大值)
  • 电压 - 输出电源
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  • RoHS状态
  • 底架
  • 供应商器件包装
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  • 最小工作温度
  • 电压 - 供电
  • 工作电源电流
  • 输出电流
  • 输入类型
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 驱动器数量
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Silicon Labs
    SI8261BBC-C-IP
    Silicon Labs
    4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-DIP Gull Wing
    8 Weeks
    表面贴装
    8-SMD, Gull Wing
    YES
    8
    -40°C~125°C
    Tube
    Automotive, AEC-Q100
    1997
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    通用型
    300mW
    DUAL
    1
    15V
    2
    CQC, CSA, UR, VDE
    3750Vrms
    4A
    1
    30V
    5V
    2mA
    2.8V Max
    50 ns
    60 ns
    500mA 1.2A
    5.5ns 8.5ns
    单向
    30mA
    0.06 μs
    60ns, 50ns
    35kV/μs
    NO
    0.05 μs
    无
    10 ns
    28ns
    9.4V~30V
    3.43mm
    9.9mm
    6.6mm
    Unknown
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • IXYS Integrated Circuits Division
    IXDD609PI
    IXYS Integrated Circuits Division
    MOSFET DRVR 2A 1-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin PDIP Tube
    8 Weeks
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    -
    8
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1
    -
    -
    2A
    1
    35V
    4.5V
    -
    -
    30 ns
    30 ns
    -
    22ns 15ns
    Single
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    通孔
    8-DIP
    2.26799g
    Low-Side
    125°C
    -40°C
    4.5V~35V
    10μA
    2A
    Non-Inverting
    22ns
    15 ns
    1
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    9A 9A
    无
    无铅
  • 添加型号
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