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首页 全部分类 SI8261BBC-C-IP vs TC4429CPA

SI8261BBC-C-IP备选型号: TC4429CPA

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  • 脉宽失真(PWD)
  • 脉宽失真(最大值)
  • 电压 - 输出电源
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • RoHS状态
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子间距
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出电压
  • 工作电源电压
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 最大电源电流
  • 输入类型
  • 最大输出电压
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 接口IC类型
  • 输入偏置电流
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Silicon Labs
    SI8261BBC-C-IP
    Silicon Labs
    4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-DIP Gull Wing
    8 Weeks
    表面贴装
    8-SMD, Gull Wing
    YES
    8
    -40°C~125°C
    Tube
    Automotive, AEC-Q100
    1997
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    通用型
    300mW
    DUAL
    1
    15V
    2
    CQC, CSA, UR, VDE
    3750Vrms
    4A
    1
    30V
    5V
    2mA
    2.8V Max
    50 ns
    60 ns
    500mA 1.2A
    5.5ns 8.5ns
    单向
    30mA
    0.06 μs
    60ns, 50ns
    35kV/μs
    NO
    0.05 μs
    无
    10 ns
    28ns
    9.4V~30V
    3.43mm
    9.9mm
    6.6mm
    Unknown
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    TC4429CPA
    Microchip Technology
    IC MOSFET DRIVER 6A INV 8DIP
    7 Weeks
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    -
    8
    0°C~150°C TJ
    Tube
    -
    1996
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    730mW
    DUAL
    1
    -
    1
    -
    -
    6A
    -
    -
    -
    3mA
    -
    75 ns
    100 ps
    -
    25ns 25ns
    Single
    -
    -
    -
    -
    YES
    -
    -
    -
    -
    -
    4.06mm
    10.16mm
    6.6mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    通孔
    100 ns
    e3
    yes
    Matte Tin (Sn)
    4.5V~18V
    2.54mm
    TC4429
    8
    18V
    15V
    730mW
    6A
    1.5mA
    Inverting
    17.975V
    60ns
    35 ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    10μA
    6A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    6A 6A
    无
    无铅
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