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首页 全部分类 SI8261BBC-C-IS vs IXDD604SIATR

SI8261BBC-C-IS备选型号: IXDD604SIATR

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  • 接通时间
  • 传播延迟（最大延迟差）
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  • 关断时间
  • 隔离电源
  • 脉宽失真(PWD)
  • 脉宽失真(最大值)
  • 电压 - 输出电源
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 达到SVHC
  • 底架
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 供电
  • 工作电源电流
  • 输入类型
  • 驱动器数量
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 无铅
  • Silicon Labs
    SI8261BBC-C-IS
    Silicon Labs
    4A Gate Driver Capacitive Coupling 3750Vrms 1 Channel 8-SOIC
    8 Weeks
    YES
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    8
    1997
    Automotive, AEC-Q100
    Tube
    -40°C~125°C
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    EAR99
    通用型
    300mW
    DUAL
    鸥翼
    1
    15V
    2
    CQC, CSA, UR, VDE
    3750Vrms
    250mV
    4A
    1
    30V
    5V
    Single
    2mA
    225mW
    10mA
    2.8V Max
    50 ns
    60 ns
    500mA 1.2A
    5.5ns
    8.5 ns
    5.5ns 8.5ns
    单向
    30mA
    0.06 μs
    60ns, 50ns
    35kV/μs
    NO
    0.05 μs
    无
    10 ns
    28ns
    9.4V~30V
    1.5mm
    4.8mm
    3.8mm
    符合RoHS标准
    Unknown
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS Integrated Circuits Division
    IXDD604SIATR
    IXYS Integrated Circuits Division
    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    8 Weeks
    -
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    8
    2012
    -
    Tape & Reel (TR)
    -40°C~125°C TA
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2
    -
    -
    -
    4A
    -
    35V
    4.5V
    -
    -
    -
    4A
    -
    50 ns
    -
    -
    9ns
    8 ns
    9ns 8ns
    Independent
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    8-SOIC
    540.001716mg
    Low-Side
    125°C
    -40°C
    4.5V~35V
    10μA
    Non-Inverting
    2
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    4A 4A
    无铅
  • 添加型号
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