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首页 全部分类 SI8261BBC-C-ISR vs IXDD604SIA

SI8261BBC-C-ISR备选型号: IXDD604SIA

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  • 电压 - 供电
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  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 辐射硬化
  • Silicon Labs
    SI8261BBC-C-ISR
    Silicon Labs
    DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -40°C~125°C
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q100
    1997
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    通用型
    300mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    15V
    CQC, CSA, UR, VDE
    3750Vrms
    4A
    1
    30V
    5V
    30mA
    2.8V Max
    50 ns
    60 ns
    5.5ns 8.5ns
    单向
    0.06 μs
    60ns, 50ns
    35kV/μs
    NO
    0.05 μs
    无
    10 ns
    28ns
    9.4V~30V
    4.9mm
    符合RoHS标准
    -
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    -
  • IXYS Integrated Circuits Division
    IXDD604SIA
    IXYS Integrated Circuits Division
    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -40°C~125°C TA
    Tube
    -
    2010
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
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    -
    -
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    -
    -
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    -
    4A
    2
    35V
    4.5V
    10μA
    -
    40 ns
    50 ns
    9ns 8ns
    Independent
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    8-SOIC
    540.001716mg
    Low-Side
    125°C
    -40°C
    4.5V~35V
    2
    4A
    Non-Inverting
    16ns
    14 ns
    2
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    4A 4A
    无
  • 添加型号
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