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首页 全部分类 SI8405AA-A-IS1 vs TC4469COE

SI8405AA-A-IS1备选型号: TC4469COE

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  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Silicon Labs
    SI8405AA-A-IS1
    Silicon Labs
    DGT ISOL 1000VRMS 4CH I2C 16SOIC
    6 Weeks
    YES
    16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    表面贴装
    16
    188.155785mg
    3.2mA
    1997
    Tube
    -40°C~125°C
    Obsolete
    2 (1 Year)
    16
    I2C
    3V~5.5V
    DUAL
    鸥翼
    1
    3.3V
    1.27mm
    16
    1000Vrms
    4
    275W
    40 ns
    1.7 Mbps
    Bidirectional, Unidirectional
    25kV/μs (Typ)
    3/3
    无
    3.9mm
    1.75mm
    9.9mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    TC4469COE
    Microchip Technology
    IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
    6 Weeks
    -
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    表面贴装
    16
    -
    4mA
    2002
    Tube
    0°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    16
    -
    4.5V~18V
    DUAL
    鸥翼
    4
    -
    1.27mm
    16
    -
    -
    760mW
    75 ns
    -
    Independent
    -
    -
    -
    7.49mm
    -
    10.3mm
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    Low-Side
    e3
    yes
    EAR99
    30Ohm
    Matte Tin (Sn)
    760mW
    260
    40
    TC4469
    4mA
    4
    18V
    1.2A
    1.2A
    Inverting, Non-Inverting
    75 ns
    25ns
    25 ns
    15ns 15ns
    和基于栅极的mosfet驱动器
    10μA
    0.1 μs
    1.2A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    1.2A 1.2A
    YES
    0.1 μs
    2.31mm
    无SVHC
    无
    无铅
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