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首页 全部分类 SI8640BD-B-IS vs TC4469COE

SI8640BD-B-IS备选型号: TC4469COE

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  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
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  • 引脚数量
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  • 最大输出电流
  • 输出电流
  • 最大电源电流
  • 输入类型
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  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Silicon Labs
    SI8640BD-B-IS
    Silicon Labs
    DGTL ISO 5KV 4CH GEN PURP 16SOIC
    8 Weeks
    表面贴装
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    16
    16-SOIC
    50.008559mg
    -40°C~125°C
    Tube
    2000
    活跃
    2A (4 Weeks)
    通用型
    125°C
    -40°C
    2.5V~5.5V
    2.65mm
    5000Vrms
    4
    5.5V
    2.5V
    17.5mA
    275mW
    13 ns
    10 ns
    150Mbps
    4ns
    2.5ns 2.5ns
    9.2mA
    单向
    13ns, 13ns
    35kV/μs
    4/0
    无
    4.5 ns
    4.5ns
    10.3mm
    7.5mm
    Unknown
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
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    -
  • Microchip Technology
    TC4469COE
    Microchip Technology
    IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
    6 Weeks
    表面贴装
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    16
    -
    -
    0°C~150°C TJ
    Tube
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    4.5V~18V
    -
    -
    -
    -
    -
    4mA
    760mW
    75 ns
    75 ns
    -
    25ns
    15ns 15ns
    -
    Independent
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    10.3mm
    7.49mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    Low-Side
    e3
    yes
    16
    EAR99
    30Ohm
    Matte Tin (Sn)
    760mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    4
    1.27mm
    40
    TC4469
    16
    4
    18V
    1.2A
    1.2A
    4mA
    Inverting, Non-Inverting
    25 ns
    和基于栅极的mosfet驱动器
    10μA
    0.1 μs
    1.2A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    1.2A 1.2A
    YES
    0.1 μs
    2.31mm
    无
    无铅
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