SI8711BC-B-IP备选型号: TC4427CPA

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 类型
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 深度
  • 电压-隔离度
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 通道数量
  • 电源电流
  • 功率耗散
  • 传播延迟
  • 接通延迟时间
  • 数据率
  • 上升时间
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 最大输入电流
  • 信道型
  • 传播延迟(最大延迟差)
  • 共模瞬态抗扰度(最小)
  • 输入侧1/侧2
  • 隔离电源
  • 脉宽失真(PWD)
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 底架
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 输出电压
  • 最大输出电流
  • 输出电流
  • 最大电源电流
  • 输入类型
  • 最大输出电压
  • 下降时间(典型值)
  • 接口IC类型
  • 输入偏置电流
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流(源极,漏极)
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Silicon Labs
    DGTL ISO 3750VRMS 1CH GP 8DIP GW
    8 Weeks
    表面贴装
    8-SMD, Gull Wing
    YES
    8
    -40°C~125°C
    Tube
    1997
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    通用型
    3V~30V
    DUAL
    260
    1
    5V
    2.54mm
    3.43mm
    3750Vrms
    30V
    3V
    1
    1.7mA
    140mW
    60 ns
    30 ns
    15Mbps
    15ns
    15ns 5ns
    30mA
    单向
    60ns, 60ns
    35kV/μs
    1/0
    20 ns
    9.9mm
    6.6mm
    Unknown
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8-DIP
    8 Weeks
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    -
    8
    0°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    4.5V~18V
    DUAL
    -
    2
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    4.5mA
    730mW
    50 ns
    50 ns
    -
    30ns
    19ns 19ns
    -
    Independent
    -
    -
    -
    -
    -
    10.16mm
    6.6mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    通孔
    Low-Side
    e3
    yes
    EAR99
    12Ohm
    Matte Tin (Sn)
    730mW
    TC4427
    8
    2
    18V
    1.5A
    1.5A
    4.5mA
    Non-Inverting
    17.975V
    30 ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    10μA
    0.04 μs
    1.5A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    1.5A 1.5A
    YES
    0.06 μs
    4.06mm
    无铅
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