SI8902B-A01-GS备选型号: TC4469COE

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  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 类型
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 基本部件号
  • 配置
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
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  • 比特数
  • 传播延迟
  • 输入类型
  • 数据率
  • 建筑学
  • 输入数量
  • 参考类型
  • 数据接口
  • 决议案
  • 电压 - 供电,模拟
  • 电压 - 供电,数字
  • 模拟输入通道数
  • 输出位代码
  • 线性度误差-最大值 (EL)
  • 积分非线性(INL)
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  • 输出格式
  • 特征
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 底架
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 电压 - 供电
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 输出电压
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  • 输出电流
  • 最大电源电流
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 接口IC类型
  • 信道型
  • 输入偏置电流
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流(源极,漏极)
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Silicon Labs
    IC ADC 10BIT SPI/SRL SOIC
    8 Weeks
    表面贴装
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    YES
    16
    -40°C~85°C
    Tube
    1999
    活跃
    3 (168 Hours)
    16
    通用型
    DUAL
    鸥翼
    1
    3.3V
    SI890
    MUX-PGA-ADC
    3.6V
    2.7V
    13.3mA
    10
    300 μs
    单端
    2.5 Mbps
    SAR
    3
    External, Internal
    SPI
    1.25 B
    2.7V~3.6V
    2.7V~3.6V
    3
    BINARY
    0.0977%
    1 LSB
    1
    SERIAL
    PGA
    2.35mm
    10.3mm
    7.5mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC
    6 Weeks
    表面贴装
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    -
    16
    0°C~150°C TJ
    Tube
    2002
    活跃
    1 (Unlimited)
    16
    -
    DUAL
    鸥翼
    4
    -
    TC4469
    -
    -
    -
    4mA
    -
    75 ns
    Inverting, Non-Inverting
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2.31mm
    10.3mm
    7.49mm
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    Low-Side
    e3
    yes
    EAR99
    30Ohm
    Matte Tin (Sn)
    760mW
    4.5V~18V
    260
    1.27mm
    40
    16
    4
    18V
    1.2A
    760mW
    1.2A
    4mA
    75 ns
    25ns
    25 ns
    15ns 15ns
    和基于栅极的mosfet驱动器
    Independent
    10μA
    0.1 μs
    1.2A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    1.2A 1.2A
    YES
    0.1 μs
    无SVHC
    无铅
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