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首页 全部分类 SI9424DY vs ZXMN2A02N8TA

SI9424DY备选型号: ZXMN2A02N8TA

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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    SI9424DY
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2007
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -20V
    -8A
    2.5W
    P-Channel
    24m Ω @ 8A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    2260pF @ 10V
    33nC @ 5V
    15ns
    20V
    ±10V
    35 ns
    8A
    10V
    -20V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMN2A02N8TA
    Diodes Incorporated
    MOSFET 20V N Chnl UMOS
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    8.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    20V
    10.2A
    2.5W
    N-Channel
    20m Ω @ 11A, 4.5V
    700mV @ 250μA
    1900pF @ 10V
    18.9nC @ 4.5V
    10ns
    -
    ±12V
    10 ns
    10.2A
    12V
    20V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    73.992255mg
    SILICON
    e3
    yes
    8
    EAR99
    20mOhm
    Matte Tin (Sn)
    低阈值
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    7.9 ns
    SWITCHING
    50A
    无SVHC
    无
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