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SKI06106备选型号: FDB14AN06LA0
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 60V 57A TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB57A Tc150°C TJCut Tape (CT)2014Discontinued1 (Unlimited)未说明未说明N-Channel8.8m Ω @ 28.5A, 10V2.5V @ 650μA2520pF @ 25V38.6nC @ 10V60V±20V57A符合RoHS标准无铅------------------------
MOSFET N-CH 60V 67A TO-263AB表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB10A Ta 67A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2004Obsolete1 (Unlimited)--N-Channel11.6m Ω @ 67A, 10V3V @ 250μA2900pF @ 25V31nC @ 5V-±20V67A符合RoHS标准无铅SILICONPowerTrench®e3yes2Tin (Sn)60V鸥翼60AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET125WDRAIN15 nsSWITCHING169ns50 ns20V10A0.0146Ohm60V46 mJ无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB45N06S4L08ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| FDB14AN06LA0-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK | 对比 |
| HUFA76437S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 71A D2PAK | 对比 |
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