ON Semiconductor FDB14AN06LA0

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A Ta 67A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Turn Off Delay Time

24 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

PowerTrench®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

60V

终端形式

鸥翼

额定电流

60A

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.6m Ω @ 67A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2900pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 5V

上升时间

169ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

50 ns

连续放电电流(ID)

67A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10A

漏极-源极导通最大电阻

0.0146Ohm

漏源击穿电压

60V

雪崩能量等级（Eas）

46 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅