SKI07171备选型号: FDB16AN08A0
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- 工厂交货时间
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 75V 46A TO-26312 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB46A Tc150°C TJCut Tape (CT)2014Discontinued1 (Unlimited)未说明未说明N-Channel13.6m Ω @ 22.8A, 10V2.5V @ 650μA2520pF @ 25V36.2nC @ 10V75V±20V46A符合RoHS标准无铅-------------------------
- Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB9A Ta 58A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)--N-Channel16m Ω @ 58A, 10V4V @ 250μA1857pF @ 25V42nC @ 10V-±20V58AROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)1.31247gSILICONPowerTrench®e3yes2EAR99Tin (Sn)75V鸥翼58AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET135WDRAIN8 nsSWITCHING82ns30 ns20V9A75V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFZ46ZSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK | 对比 |
![]() | FDB16AN08A0 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |





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