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SKI10123备选型号: IPB70N10S3L12ATMA1
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 100V 66A TO-263表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB66A Tc150°C TJCut Tape (CT)2014Discontinued1 (Unlimited)未说明未说明N-Channel11.6m Ω @ 33A, 10V2.5V @ 1.5mA6420pF @ 25V88.8nC @ 10V100V±20V66A符合RoHS标准无铅------------------
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2 Tab) TO-263-表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB70A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2012活跃1 (Unlimited)未说明未说明N-Channel11.8m Ω @ 70A, 10V2.4V @ 83μA5550pF @ 25V80nC @ 10V100V±20V-ROHS3 Compliant-14 WeeksYESSILICONOptiMOS™2EAR99逻辑电平兼容SINGLE鸥翼R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN70A0.012Ohm280A100V154 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB70N10S3L12ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
 | FDB3632 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | ON SEMICONDUCTOR - FDB3632 - Power MOSFET, N Channel, 100 V, 80 A, 0.009 ohm, TO-263AB, Surface Mount | 对比 |
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