SM30T18AY备选型号: IRF540NSTRLPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 二极管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 类型
- 应用
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 深度
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电压
- 泄漏电流
- 元素配置
- 电源线保护
- 功率 - 脉冲峰值
- 最大反向漏电电流
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
- 箝位电压
- 峰值脉冲电流
- 峰值脉冲功率
- 方向
- 测试电流
- 单向通道
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大非代表峰值转速功率Dis
- 最大击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终端
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 栅源电压
- 辐射硬化
- 无铅
- TVS DIODE 15VWM 24.4VC SMC表面贴装表面贴装DO-214AB, SMC2SILICON16.7V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)Automotive, AEC-Q101, SM30TY, TRANSIL™活跃1 (Unlimited)2EAR99Zener汽车3kWDUALC 弯管6.25mmSM30T215V200nASingle无3000W 3kW200nA24.4V24.4V123A3kW单向1mA120V3000W18.5V2.45mm7.15mm6.25mm无SVHCROHS3 Compliant----------------------------------
- MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-33A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®活跃1 (Unlimited)2EAR99----鸥翼-----Single----------20V--4.826mm10.668mm9.65mm无SVHCROHS3 Compliant12 WeeksTinSILICON1997e3SMD/SMT44MOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE100V26033A30R-PSSO-G2增强型MOSFET130WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING44m Ω @ 16A, 10V4V @ 250μA1960pF @ 25V71nC @ 10V35ns±20V35 ns33A4V100V100V170 ns4 V无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLML2030TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 2.7A SOT-23-3 | 对比 |
![]() | IRLML0030TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3 | 对比 |





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