SM30T18AY备选型号: IRLML0030TRPBF

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 二极管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 类型
  • 应用
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 深度
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 工作电压
  • 泄漏电流
  • 元素配置
  • 电源线保护
  • 功率 - 脉冲峰值
  • 最大反向漏电电流
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
  • 箝位电压
  • 峰值脉冲电流
  • 峰值脉冲功率
  • 方向
  • 测试电流
  • 单向通道
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大非代表峰值转速功率Dis
  • 最大击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度(Tj)
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    TVS DIODE 15VWM 24.4VC SMC
    表面贴装
    表面贴装
    DO-214AB, SMC
    2
    SILICON
    16.7V
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101, SM30TY, TRANSIL™
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Zener
    汽车
    3kW
    DUAL
    C 弯管
    6.25mm
    SM30T
    2
    15V
    200nA
    Single
    3000W 3kW
    200nA
    24.4V
    24.4V
    123A
    3kW
    单向
    1mA
    1
    20V
    3000W
    18.5V
    2.45mm
    7.15mm
    6.25mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    -
    5.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    20V
    -
    -
    1.12mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    SILICON
    1998
    e3
    27MOhm
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    260
    30
    1
    增强型MOSFET
    1.3W
    5.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    27m Ω @ 5.2A, 10V
    2.3V @ 25μA
    382pF @ 15V
    2.6nC @ 4.5V
    4.4ns
    ±20V
    4.4 ns
    5.3A
    1.7V
    30V
    17 ns
    150°C
    1.7 V
    无铅
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