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首页 全部分类 SMMUN2216LT1G vs 2SC3324-BL(TE85L,F

SMMUN2216LT1G备选型号: 2SC3324-BL(TE85L,F

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  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 安装类型
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  • 表面安装
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
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  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电阻基(R1)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 操作温度
  • 频率
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • ON Semiconductor
    SMMUN2216LT1G
    ON Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN 0.246W SOT23
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    7 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    250mV
    1
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    150°C
    -55°C
    内置偏置电阻
    400mW
    DUAL
    鸥翼
    MMUN22**L
    3
    AEC-Q101
    NPN
    Single
    246mW
    SWITCHING
    无卤素
    NPN - Pre-Biased
    50V
    100mA
    160 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 1mA, 10mA
    4.7 k Ω
    1.01mm
    3.04mm
    1.4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SC3324-BL(TE85L,F
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    3
    300mV
    120V
    Cut Tape (CT)
    2009
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    150mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    NPN
    300mV
    100mA
    350 @ 2mA 6V
    100nA ICBO
    300mV @ 1mA, 10mA
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    表面贴装
    125°C TJ
    100MHz
    150mW
    100MHz
    120V
    120V
    5V
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