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SMP3003-DL-1E备选型号: IPB029N06N3GATMA1
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 系列
- 端子位置
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 阈值电压
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET PCH 4V DRIVE SERIESACTIVE (Last Updated: 3 days ago)35 Weeks表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES2SILICON100A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2014e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼未说明not_compliant未说明2Single增强型MOSFET90WDRAIN95 nsP-Channel8m Ω @ 50A, 10V13400pF @ 20V280nC @ 10V1μs75V±20V820 ns100A20V-75V400A468 mJ4.5mm10mm9.2mm无SVHCROHS3 Compliant无铅----------
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2 Tab) TO-263-13 Weeks表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-3SILICON120A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2008e3no活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼未说明not_compliant未说明4-增强型MOSFET188WDRAIN35 nsN-Channel2.9m Ω @ 100A, 10V13000pF @ 30V165nC @ 10V120ns60V±20V20 ns120A20V-480A----无SVHCROHS3 Compliant无铅表面贴装OptiMOS™SINGLER-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODESWITCHING4V @ 118μA3V60V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB029N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IPB049NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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