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首页 全部分类 SMSD602-RT1G vs 2SC2712-Y,LF

SMSD602-RT1G备选型号: 2SC2712-Y,LF

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  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    SMSD602-RT1G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 50V 0.5A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2012
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    200mW
    3
    NPN
    600mV
    500mA
    120 @ 150mA 10V
    100nA ICBO
    600mV @ 30mA, 300mA
    60V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SC2712-Y,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS NPN 50V 0.15A S-MINI
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2011
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150mW
    -
    NPN
    50V
    150mA
    120 @ 2mA 6V
    100nA ICBO
    250mV @ 10mA, 100mA
    60V
    -
    符合RoHS标准
    -
    表面贴装
    SILICON
    100mV
    125°C TJ
    3
    低噪音
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    unknown
    未说明
    2SC2712
    R-PDSO-G3
    Single
    AMPLIFIER
    80MHz
    NPN
    80MHz
    50V
    5V
    150mA
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