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首页 全部分类 SMV512K32-CVAL vs DS1345WP-100IND

SMV512K32-CVAL备选型号: DS1345WP-100IND

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  • 描述:
  • 包装/外壳
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 工作电源电压
  • 内存大小
  • 配件类型
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 频率
  • 引脚数量
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 数据总线宽度
  • 组织结构
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 密度
  • 待机电流-最大值
  • 访问时间（最大）
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    SMV512K32-CVAL
    Texas Instruments
    Memory IC Development Tools Breakout Eval Board
    Module
    SRAM
    活跃
    1 (Unlimited)
    512K32
    3.3V
    2MB
    分线板
    无SVHC
    Non-RoHS Compliant
    无铅
    -
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    -
    -
    -
  • Maxim Integrated
    DS1345WP-100IND
    Maxim Integrated
    IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP
    34-PowerCap™ Module
    Non-Volatile
    活跃
    3 (168 Hours)
    DS1345W
    3.3V
    1Mb 128K x 8
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8 Weeks
    表面贴装
    YES
    34
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2010
    e3
    yes
    34
    3A991.B.2.A
    哑光锡
    8473.30.11.40
    3V~3.6V
    DUAL
    1
    3.3V
    100GHz
    34
    3.6V
    3V
    NVSRAM
    Parallel
    8b
    128KX8
    8
    100ns
    1 Mb
    0.00015A
    100 ns
    无
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