SN75451BDR备选型号: SN75453BD
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 基本部件号
- 引脚数量
- 输出电压
- 工作电源电压
- 电源
- 电源电流
- 功率耗散
- 输出电流
- 最大电源电流
- 传播延迟
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 最大输入电压
- 输出特性
- 输出极性
- 输入特性
- 上升/下降时间(Typ)
- 接口IC类型
- 信道型
- 驱动器数量
- 输出峰值电流限制-名
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 输出的数量
- 最大输出电流
- 驱动程序位数
- IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOICACTIVE (Last Updated: 5 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)872.603129mgLow-Side0°C~70°C TACut Tape (CT)e4yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)725mW4.75V~5.25VDUAL鸥翼26025VSN75451830V5V5V65mA725mW300mA65mA25 nsInverting8 ns5.5VSTANDARDTRUEGATED5ns 7ns和基于栅极的外设驱动器Independent20.5AN-Channel, P-Channel MOSFET500mA 500mA1.75mm4.9mm3.91mm1.58mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---
- IC PERIPHERAL DRVR DUAL HS 8SOICACTIVE (Last Updated: 2 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)872.603129mgLow-Side0°C~70°C TATubee4yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)725mW4.75V~5.25VDUAL鸥翼26025VSN75453830V-5V68mA725mW300mA68mA25 nsInverting8 ns5.5VSTANDARDTRUEGATED5ns 7ns或基于栅极的外设驱动器Independent-0.5AN-Channel, P-Channel MOSFET500mA 500mA1.75mm4.9mm3.91mm1.58mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅2500mA2
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SN75453BD | Texas Instruments | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC PERIPHERAL DRVR DUAL HS 8SOIC | 对比 |
![]() | SN75452BD | Texas Instruments | PMIC - 栅极驱动器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | TEXAS INSTRUMENTS - SN75452BD - PERIPHERAL DRIVER, 75452, SOIC8 | 对比 |



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