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首页 全部分类 SP8J2TB vs IRF7303TRPBF

SP8J2TB备选型号: IRF7303TRPBF

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  • 无铅
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  • 电阻
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ROHM Semiconductor
    SP8J2TB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC
    表面贴装
    SOIC
    8
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    2003
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    锡铜
    -30V
    2W
    DUAL
    鸥翼
    260
    -4.5A
    10
    8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    25ns
    30V
    P-CHANNEL
    4.5A
    0.056Ohm
    850pF
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    56 mΩ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7303TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    30V
    2W
    -
    鸥翼
    260
    4.9A
    30
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    21ns
    -
    -
    4.9A
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    表面贴装
    -55°C~150°C TJ
    HEXFET®
    50mOhm
    超低电阻
    IRF7303PBF
    Dual
    2W
    6.8 ns
    2 N-Channel (Dual)
    50m Ω @ 2.4A, 10V
    1V @ 250μA
    520pF @ 25V
    25nC @ 10V
    7.7 ns
    1V
    20V
    30V
    71 ns
    Standard
    1 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
    无
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