ON Semiconductor FDS6930A
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FDS6930A
1807-FDS6930A
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
--最小包装量--
FDS6930A详情
ON Semiconductor FDS6930A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
质量
187mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
17 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
40mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
900mW
终端形式
鸥翼
额定电流
5.5A
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2W
接通延迟时间
5 ns
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
40m Ω @ 5.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
460pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
7nC @ 5V
上升时间
8ns
下降时间(典型值)
13 ns
连续放电电流(ID)
5.5A
阈值电压
1.5V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.6A
漏源击穿电压
30V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
逻辑电平门
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDS6930A拓展信息









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