SP8K2TB备选型号: IRF7201TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 系列
- 电阻
- 附加功能
- 端子位置
- 元素配置
- 功率耗散
- Vgs(最大值)
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 长度
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON2150°C TJTape & Reel (TR)2004e2不用于新设计1 (Unlimited)8EAR99锡铜30V2W鸥翼2606A10*K28SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET9 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING30m Ω @ 6A, 10V2.5V @ 1mA520pF @ 10V10.1nC @ 5V21ns13 ns6A20V6A0.047Ohm24AMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅------------------
- MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8SILICON1-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2003e3活跃1 (Unlimited)8EAR99Matte Tin (Sn)30V-鸥翼-7.3A----增强型MOSFET7 nsN-ChannelSWITCHING30m Ω @ 7.3A, 10V1V @ 250μA550pF @ 25V28nC @ 10V35ns19 ns7A20V-----无ROHS3 CompliantContains Lead, Lead Free12 WeeksHEXFET®30mOhm超低电阻DUALSingle2.5W±20V1V30V30V70 mJ73 ns1 V4.9784mm1.4986mm3.9878mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS8984 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC | 对比 | |
![]() | ZXMN3F31DN8TA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Dual N-Channel 30 V 0.024 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOP-8 | 对比 |




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