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首页 全部分类 SP8K2TB vs ZXMN3F31DN8TA

SP8K2TB备选型号: ZXMN3F31DN8TA

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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
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  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    SP8K2TB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e2
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    锡铜
    30V
    2W
    鸥翼
    260
    6A
    10
    *K2
    8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    30m Ω @ 6A, 10V
    2.5V @ 1mA
    520pF @ 10V
    10.1nC @ 5V
    21ns
    13 ns
    6A
    20V
    6A
    0.047Ohm
    24A
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMN3F31DN8TA
    Diodes Incorporated
    Dual N-Channel 30 V 0.024 Ohm Surface Mount Enhancement Mode MOSFET - SOP-8
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    5.7A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    1.8W
    鸥翼
    260
    -
    40
    -
    8
    -
    增强型MOSFET
    2.9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    24m Ω @ 7A, 10V
    3V @ 250μA
    608pF @ 15V
    12.9nC @ 10V
    3.3ns
    8 ns
    7.3A
    20V
    5.7A
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    17 Weeks
    73.992255mg
    yes
    24mOhm
    2
    Dual
    30V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
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