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首页 全部分类 SP8M10TB vs FDS6984S

SP8M10TB备选型号: FDS6984S

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 功率耗散
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • ROHM Semiconductor
    SP8M10TB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    7A 4.5A
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    锡铜
    2W
    DUAL
    鸥翼
    260
    7A
    10
    *M10
    8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    N and P-Channel
    SWITCHING
    25m Ω @ 7A, 10V
    2.5V @ 1mA
    600pF @ 10V
    8.4nC @ 5V
    25ns
    30V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    4.5A
    7A
    0.037Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6984S
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    5.5A 8.5A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2000
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    900mW
    -
    -
    -
    5.5A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    19m Ω @ 8.5A, 10V
    3V @ 250μA
    1233pF @ 15V
    12nC @ 5V
    5ns
    -
    -
    5.5A
    -
    -
    -
    -
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
    PowerTrench®, SyncFET™
    19MOhm
    30V
    2W
    11 ns
    20V
    30V
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