STMicroelectronics STS8C5H30L

生命周期状态

NRND (Last Updated: 8 months ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A 5.4A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

125 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™ III

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

22MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最大功率耗散

2W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

8A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STS8C5

引脚数量

8

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

22m Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

857pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 5V

上升时间

35ns

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

下降时间（典型值）

35 ns

连续放电电流(ID)

8A

阈值电压

1.6V

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.25mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅